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缔造自主创新之都 书写科技奥运主题(图)
  北京频道 ( 2007-04-24 13:27:17) 稿件来源:北京日报

国家体育场钢结构安装完成内环全景

    技术人员在100纳米大角度离子注入机旁,装片前首先要检查每片硅片的洁净度,操作时需要在无尘的空间内进行。 戴冰 摄

    “100纳米刻蚀机和离子注入机有了中国造。”这么说的时候,不是深懂技术的人也许还不能深切体会。

    只需要加一个注脚,人们就能明白它意味着一种什么样的突破——集成电路是工业生产的“大脑”,生它的重大意义。 产集成电路需要使用10多种设备,我国以前都依赖进口。如今,其中2项设备能自己制造,我国高端集成电路核心设备技术直接跨越五代,达到了与国际上同步的“8英寸100纳米”装备水平。

    2006年,北京中关村在盘点技术突破、跨越成果的时候,人们发现,这是特别丰硕的一年,它集中释放过去几年的积累,也昭示下一个更高的起点。

    与此同时,在北京奥运工程的决战之年,依靠着自主创新的力量,在以“鸟巢”、“水立方”等为代表的奥运场馆建设中,“科技奥运”的理念正在全方位地被诠释着。

    自主创新,从来没有像现在这样被高频率地提起,而北京正在缔造一个令人瞩目的“创新之都”。

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